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簡(jiǎn)要描述:德國(guó)直供電壓測(cè)量模塊6SL3053-0AA00-3AA1 SINAMICS 電壓測(cè)量模塊 VSM10
德國(guó)直供電壓測(cè)量模塊6SL3053-0AA00-3AA1 德國(guó)直供電壓測(cè)量模塊6SL3053-0AA00-3AA1
功率模塊的封裝外形各式各樣,新的封裝形式日新月異,一般按管芯或芯片的組裝工藝及安裝固定方法的不同,主要分為壓接結(jié)構(gòu)、焊接結(jié)構(gòu)、直接敷銅DBC基板結(jié)構(gòu),所采用的封裝形式多為平面型以及,存在難以將功率芯片、控制芯片等多個(gè)不同工藝芯片平面型安裝在同一基板上的問(wèn)題。為開(kāi)發(fā)高性能的產(chǎn)品,以混合IC封裝技術(shù)為基礎(chǔ)的多芯片模塊MCM封裝成為目前主流發(fā)展趨勢(shì),即重視工藝技術(shù)研究,更關(guān)注產(chǎn)品類型開(kāi)發(fā),不僅可將幾個(gè)各類芯片安裝在同一基板上,而且采用埋置、有源基板、疊層、嵌入式封裝,在三維空間內(nèi)將多個(gè)不同工藝的芯片互連,構(gòu)成完整功能的模塊。
壓接式結(jié)構(gòu)延用平板型或螺栓型封裝的管芯壓接互連技術(shù),點(diǎn)接觸靠?jī)?nèi)外部施加壓力實(shí)現(xiàn),解決熱疲勞穩(wěn)定性問(wèn)題,可制作大電流、高集成度的功率模塊,但對(duì)管芯、壓塊、底板等零部件平整度要求很高,否則不僅將增大模塊的接觸熱阻,而且會(huì)損傷芯片,嚴(yán)重時(shí)芯片會(huì)撕裂,結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高、比較笨重,多用于晶閘管功率模塊。 焊接結(jié)構(gòu)采用引線鍵合技術(shù)為主導(dǎo)的互連工藝,包括焊料凸點(diǎn)互連、金屬柱互連平行板方式、凹陷陣列互連、沉積金屬膜互連等技術(shù),解決寄生參數(shù)、散熱、可靠性問(wèn)題,目前已提出多種實(shí)用技術(shù)方案。例如,合理結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計(jì)二次組裝已封裝元器件構(gòu)成模塊;或者功率電路采用芯片,控制、驅(qū)動(dòng)電路采用已封裝器件,構(gòu)成高性能模塊;多芯片組件構(gòu)成功率智能模塊。 DBC基板結(jié)構(gòu)便于將微電子控制芯片與高壓大電流執(zhí)行芯片密封在同一模塊之中,可縮短或減少內(nèi)部引線,具備更好的熱疲勞穩(wěn)定性和很高的封裝集成度,DBC通道、整體引腳技術(shù)的應(yīng)用有助于MCM的封裝,整體引腳無(wú)需額外進(jìn)行引腳焊接,基板上有更大的有效面積、更高的載流能力,整體引腳可在基板的所有四邊實(shí)現(xiàn),成為MCM功率半導(dǎo)體器件封裝的重要手段,并為模塊智能化創(chuàng)造了工藝條件。
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